昨天，沉寂較長時間的金屬鎵市場起微瀾，其他稀散金屬價格維持以前水平。安泰科報價，4N金屬鎵價格為2400-2450元/千克，6N高純鎵2550-2600元/千克，7N高純鎵2700-2750元/千克，上述鎵產(chǎn)品分別漲25元/千克。

在眾多稀散金屬品種中，鎵下游應(yīng)用最廣泛，市場活躍度最高，發(fā)展前景最樂觀。為了滿足不同領(lǐng)域的需求，鎵的產(chǎn)品將越來越豐富多樣，以高純鎵、化合物半導(dǎo)體材料為主要形式的消費(fèi)越來越多。隨著精深加工產(chǎn)品的發(fā)展和應(yīng)用，產(chǎn)業(yè)鏈中、終端吸納金屬鎵的庫存能力正在穩(wěn)步提升。不過由于國內(nèi)應(yīng)用場景有限、個別產(chǎn)品產(chǎn)能過剩的影響，低端產(chǎn)品市場競爭激烈，價格相對金屬鎵溢價較少，產(chǎn)品價格未體現(xiàn)出應(yīng)有的價值。在國內(nèi)應(yīng)用高端化發(fā)展過程中，下游應(yīng)用對鎵基材料高純化、多元化提出了更高的要求，相關(guān)產(chǎn)品價格仍有較大的上升空間。

從中間材料來說，砷化鎵、氮化鎵、三乙基鎵、三甲基鎵、氯化鎵等基礎(chǔ)產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)已經(jīng)基本成熟，市場在不斷拓展。近期，關(guān)于第三代半導(dǎo)體的氮化鎵消息很多。隨著GaN（氮化鎵）材料在射頻、電力電子等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，GaN產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出快速發(fā)展態(tài)勢。據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)Yole估計，2023年全球GaN半導(dǎo)體器件市場規(guī)模達(dá)到211億美元，預(yù)計到2028年將達(dá)到283億美元，復(fù)合年增長率為6.1%。為了搶占市場份額，提升技術(shù)實(shí)力，全球各大芯片廠商紛紛加碼GaN領(lǐng)域的投資，并掀起了一股并購?fù)顿Y狂潮。雖然目前消費(fèi)行業(yè)是功率氮化鎵的最大市場領(lǐng)域，但汽車市場將會在未來幾年迎來最顯著的增長。多家公司正在努力為電動汽車（EV）提供 GaN 系統(tǒng)。Yole預(yù)測，到2028年，汽車GaN領(lǐng)域的價值將達(dá)到5.04億美元，復(fù)合年均增長率為110%。據(jù)中國半導(dǎo)體聯(lián)盟統(tǒng)計，2023年，我國GaN外延產(chǎn)能達(dá)到66萬片/年（折合6英寸），其中用于功率電子的外延約為38.7萬片/年，芯片器件產(chǎn)品為34.9萬片/年，分別較2022年增長40%和38%。

有消息透露，近期，電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)與清華大學(xué)、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國際上首次研制出了氮化鎵量子光源芯片。這一技術(shù)突破不僅為氮化鎵的應(yīng)用前景提供了強(qiáng)有力的背書，也預(yù)示著其在未來科技領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用空間。

氮化鎵材料的低功耗和高功率密度特性完美契合了當(dāng)前社會對高效率的追求，被稱為未來材料的明星。但從市場發(fā)展速度來看，氮化鎵目前仍處于發(fā)展過渡期。據(jù)預(yù)測，到2030年，氮化鎵有望在半導(dǎo)體市場中占據(jù)主導(dǎo)地位。

昨天，沉寂較長時間的金屬鎵市場起微瀾，其他稀散金屬價格維持以前水平。安泰科報價，4N金屬鎵價格為2400-2450元/千克，6N高純鎵2550-2600元/千克，7N高純鎵2700-2750元/千克，上述鎵產(chǎn)品分別漲25元/千克。

在眾多稀散金屬品種中，鎵下游應(yīng)用最廣泛，市場活躍度最高，發(fā)展前景最樂觀。為了滿足不同領(lǐng)域的需求，鎵的產(chǎn)品將越來越豐富多樣，以高純鎵、化合物半導(dǎo)體材料為主要形式的消費(fèi)越來越多。隨著精深加工產(chǎn)品的發(fā)展和應(yīng)用，產(chǎn)業(yè)鏈中、終端吸納金屬鎵的庫存能力正在穩(wěn)步提升。不過由于國內(nèi)應(yīng)用場景有限、個別產(chǎn)品產(chǎn)能過剩的影響，低端產(chǎn)品市場競爭激烈，價格相對金屬鎵溢價較少，產(chǎn)品價格未體現(xiàn)出應(yīng)有的價值。在國內(nèi)應(yīng)用高端化發(fā)展過程中，下游應(yīng)用對鎵基材料高純化、多元化提出了更高的要求，相關(guān)產(chǎn)品價格仍有較大的上升空間。

從中間材料來說，砷化鎵、氮化鎵、三乙基鎵、三甲基鎵、氯化鎵等基礎(chǔ)產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)和應(yīng)用技術(shù)已經(jīng)基本成熟，市場在不斷拓展。近期，關(guān)于第三代半導(dǎo)體的氮化鎵消息很多。隨著GaN（氮化鎵）材料在射頻、電力電子等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，GaN產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出快速發(fā)展態(tài)勢。據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu)Yole估計，2023年全球GaN半導(dǎo)體器件市場規(guī)模達(dá)到211億美元，預(yù)計到2028年將達(dá)到283億美元，復(fù)合年增長率為6.1%。為了搶占市場份額，提升技術(shù)實(shí)力，全球各大芯片廠商紛紛加碼GaN領(lǐng)域的投資，并掀起了一股并購?fù)顿Y狂潮。雖然目前消費(fèi)行業(yè)是功率氮化鎵的最大市場領(lǐng)域，但汽車市場將會在未來幾年迎來最顯著的增長。多家公司正在努力為電動汽車（EV）提供 GaN 系統(tǒng)。Yole預(yù)測，到2028年，汽車GaN領(lǐng)域的價值將達(dá)到5.04億美元，復(fù)合年均增長率為110%。據(jù)中國半導(dǎo)體聯(lián)盟統(tǒng)計，2023年，我國GaN外延產(chǎn)能達(dá)到66萬片/年（折合6英寸），其中用于功率電子的外延約為38.7萬片/年，芯片器件產(chǎn)品為34.9萬片/年，分別較2022年增長40%和38%。

有消息透露，近期，電子科技大學(xué)信息與量子實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)與清華大學(xué)、中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所合作，在國際上首次研制出了氮化鎵量子光源芯片。這一技術(shù)突破不僅為氮化鎵的應(yīng)用前景提供了強(qiáng)有力的背書，也預(yù)示著其在未來科技領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用空間。

氮化鎵材料的低功耗和高功率密度特性完美契合了當(dāng)前社會對高效率的追求，被稱為未來材料的明星。但從市場發(fā)展速度來看，氮化鎵目前仍處于發(fā)展過渡期。據(jù)預(yù)測，到2030年，氮化鎵有望在半導(dǎo)體市場中占據(jù)主導(dǎo)地位。

（撰寫：中國有色金屬工業(yè)協(xié)會稀散金屬分會）