薄膜太陽能面板的應(yīng)用潛力備受市場(chǎng)矚目，目前相關(guān)電池技術(shù)上主要可區(qū)分為非晶硅（A-Si）、非微晶堆棧（Micromorph）和銅銦鎵硒（CIGS）等三大類，彼此之間的競爭相當(dāng)激烈，在技術(shù)上也各有優(yōu)劣。

采用A-Si制程的薄膜太陽能臺(tái)廠包括旭能光電（SUNNER SOLAR）和富陽光電（SUN WELL SOLAR）等，采用Micromorph制程則是以宇通光能（AURIA SOLAR）為首。至于在CIGS部份，友達(dá)仍處于研發(fā)階段，臺(tái)積電則是采用國外技術(shù)移轉(zhuǎn)模式，錸德旗下的錸寶雖也有意進(jìn)軍CIGS，不過目前真正能夠達(dá)到自主量產(chǎn)的臺(tái)廠，應(yīng)該是只有綠陽光電（AxunTek）一家。

由于薄膜太陽能面板的透光性比多晶硅來得高，也具有可撓性，且采用強(qiáng)化玻璃材質(zhì)，相較于單多晶硅太陽能面板，也較不易破裂破碎。這是因?yàn)锳-Si和Micromorph都是采用氣體沈積制程，搭配強(qiáng)化玻璃材質(zhì)，因此薄膜太陽能面板不易破碎碎裂。

加上薄膜太陽能面板可調(diào)配各種色澤，不若單多晶硅以黑色和藍(lán)色為主而單調(diào)，因此薄膜太陽能面板可應(yīng)用在BIPV建材，與綠建筑材料環(huán)境密切搭配的程度較高。以往以單/多晶硅面板為主的大型發(fā)電廠，也開始廣泛地采用薄膜太陽能面板。薄膜太陽能面板的應(yīng)用層面，相較于單/多晶硅和高聚光型來說，無疑是更為寬廣的。

從量產(chǎn)能力來看，目前A-Si和Micromorph都可進(jìn)入量產(chǎn)階段，A-Si的量產(chǎn)穩(wěn)定度可達(dá) 99％，Micromorph大概在90％左右。CIGS剛進(jìn)入量產(chǎn)階段，產(chǎn)能則仍有待加強(qiáng)，良率也不夠高，目前CIGS也仍欠缺一致性的制程標(biāo)準(zhǔn)。不過 CIGS采用濺鍍鈀材的sputtering制程技術(shù)，雖然過程較為復(fù)雜，但可達(dá)到大量量產(chǎn)階段。

因此投入CIGS的廠商，一開始必須以一條龍的生產(chǎn)方式，整合開發(fā)電池、模塊和生產(chǎn)制程設(shè)備，初期投入資金壓力相對(duì)最高。A-Si制程由于研發(fā)時(shí)程已有一段時(shí)日，材料成本也相對(duì)穩(wěn)定，盡管生產(chǎn)設(shè)備也不便宜，不過整體生產(chǎn)成本相對(duì)低廉。CIGS的材料成本較低，但是制程設(shè)備供應(yīng)不足，價(jià)格昂貴，因此成本過高。另外必須注意的是CIGS材料內(nèi)的關(guān)鍵元素銦，屬于目前高度敏感的稀土原料，能不能繼續(xù)穩(wěn)定地獲得供應(yīng)，仍有待觀察。

就轉(zhuǎn)換效能來看，相較于單/多晶硅和高聚光型（HCPV），薄膜太陽能面板的轉(zhuǎn)換效能較低，目前大概只有7～11％左右，仍是在技術(shù)上需要加以克服的地方。其中，A-Si的轉(zhuǎn)換效能大概只有7％，相較于Micromorph和CIGS而言可說是最低的。

若更深入從三種不同光譜波長吸收的材料特性來看，薄膜太陽能的A-Si制程，只能吸收可見光波長，Micromorph則可吸收較多長波，而CIGS則可吸收從可見光、紫外光和紅外線的三種光譜波長。因此就物理特性來看，CIGS吸收太陽光的效能最高，相對(duì)地轉(zhuǎn)換效能的成長空間最廣，而A-Si薄膜太陽能則會(huì)提早面臨轉(zhuǎn)換效能停滯和效率衰減的天花板效應(yīng)。

不過從另一方面來看，薄膜太陽能面板的溫度系數(shù)小，單/ 多晶硅的溫度系數(shù)較高，因此薄膜太陽能的轉(zhuǎn)換效能，較不易受到溫度影響，日照瓦數(shù)的穩(wěn)定度和采光效能，比單/多晶硅面板來得高。CIGS對(duì)于溫度系數(shù)也較為不敏感，且可吸收漫射光，采光角度也沒有多晶硅來得大，采光效益也具有相當(dāng)?shù)母偁幜Α?/p>

盡管目前薄膜太陽能產(chǎn)品市占率，占整體太陽能市場(chǎng)的15％左右，未來5年內(nèi)仍難以撼動(dòng)多晶硅太陽能產(chǎn)品的主流地位，不過薄膜太陽能對(duì)于多晶硅太陽能產(chǎn)品的威脅性仍是不可小覷。

信息來源：Ctimes  編輯：安泰科 茍麗麗