2011年1月5日，《可再能源能源世界》網(wǎng)站發(fā)布“薄膜太陽能如何應(yīng)對晶體硅的挑戰(zhàn)”評論，在面對新的定價壓力下，太陽能設(shè)備制造商不得不重新關(guān)注最大限度降低成本和最大程度改進性能，以保持利潤的相關(guān)問題。

晶體硅技術(shù)的進步，以及多晶硅原材料成本的下降，增加了對新興的薄膜技術(shù)，包括薄膜硅（TF-Si）、碲化鎘（CdTe）和銅銦鎵硒（CIGS）制造商的壓力。 預(yù)計模塊開發(fā)商將降低關(guān)鍵組成部分的成本：投資、材料、公用系統(tǒng)和勞務(wù)，勒克斯（Lux）研究公司報道了至2015年良好的可供銷售模塊生產(chǎn)的建設(shè)成本(COGS)，主導(dǎo)技術(shù)是多晶硅（mc-Si），以及其薄膜競爭對手：TF-Si、CdTe和CIGS（包括玻璃和柔性基板），見圖1。
 
        圖1.   至2015年良好的可供銷售模塊生產(chǎn)的建設(shè)成本(COGS)

 2010年底的調(diào)查結(jié)果表明，隨著COGS的全線下降，從整個價值鏈而言，mc-Si仍然保持有較高的盈利。假定多晶硅定價為70美元/kg，垂直一體化生產(chǎn)商將使生產(chǎn)成本從2009年1.45美元/W下降至2015年0.93美元/W。

mc-Si光電轉(zhuǎn)換效率將是降低成本的主要動力，將從2009年14.0%提高到2015年的16.1%。

歐瑞康（Oerlikon）公司將投入薄膜硅新的生產(chǎn)線，由歐瑞康公司新的ThinFab生產(chǎn)線所作的改進將使薄膜硅效率從9.0%提高到超過11.0%。產(chǎn)量的大幅度提升將有助于降低每W的資本支出，并有助于使TF-Si成本從2009年1.32美元/W降低至2015年0.80美元/W。

CdTe技術(shù)仍然是COGS方面長期的領(lǐng)先者。由第一太陽能（First Solar）公司為引領(lǐng)，CdTe的成本結(jié)構(gòu)已大大低于mc-Si，并且其成本下降將會持續(xù)，使其成為效益最好的太陽能技術(shù)，其COGS將從2009年0.80美元/W下降到2015年0.54美元/W。

CIGS成本已大幅下降，濺射在玻璃上的CIGS將使COGS從1.69美元/W下降到 0.76美元/W，因其轉(zhuǎn)換效率將從10.0%提高到14.2%，同時，其能力和產(chǎn)量將增長，一些頂級開發(fā)商的毛利率已超過30%。

信息來源：國際能源網(wǎng)  編輯：安泰科 茍麗麗