英特爾搶先量產(chǎn)廿二納米半導(dǎo)體元件后，各國(guó)全力投入更前瞻的十納米元件技術(shù)。我國(guó)國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室突破現(xiàn)有半導(dǎo)體元件矽基材缺陷，利用純鍺研制晶體管，成功把晶體管運(yùn)行速度提升二到四倍，為我國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)邁向十納米開(kāi)創(chuàng)新局。

這項(xiàng)研究成果昨在美國(guó)華盛頓舉辦的「國(guó)際電子元件會(huì)議」公開(kāi)發(fā)表，被大會(huì)選為重點(diǎn)宣傳論文。此外，我國(guó)研究團(tuán)隊(duì)獨(dú)創(chuàng)發(fā)明「銅銦鎵硒」薄膜晶體管技術(shù)，利用被廣泛用來(lái)制作太陽(yáng)能電池的「銅銦鎵硒」薄膜，研制晶體管，成功研發(fā)出「自供電力線路模塊的矽基太陽(yáng)能元件」，在這項(xiàng)電子元件領(lǐng)域最重要國(guó)際研討會(huì)艷驚四座，被選為重點(diǎn)宣傳論文。

納米元件實(shí)驗(yàn)室副主任吳文發(fā)表示，新材料和節(jié)能科技的導(dǎo)入，是半導(dǎo)體元件邁向十納米技術(shù)、提升效能和芯片微小化的重要關(guān)鍵。我國(guó)研究團(tuán)隊(duì)這次發(fā)表的四篇論文，引起國(guó)際重視，認(rèn)為是進(jìn)入十納米元件的重要技術(shù)選項(xiàng)。

信息來(lái)源：中國(guó)時(shí)報(bào)