在“十一五”國(guó)家863計(jì)劃新材料領(lǐng)域項(xiàng)目的支持下，由中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所承擔(dān)的“高效氮化物L(fēng)ED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目課題，通過(guò)技術(shù)輻射和轉(zhuǎn)移、人才培養(yǎng)以及國(guó)際交流合作等方式，實(shí)現(xiàn)了先進(jìn)技術(shù)的引進(jìn)、消化、吸收、再創(chuàng)新，從而提高了我國(guó)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)能力，推動(dòng)了我國(guó)半導(dǎo)體照明工程的實(shí)施。該課題近日順利通過(guò)驗(yàn)收。
　　
　　“高效氮化物L(fēng)ED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)，在人才培養(yǎng)和團(tuán)隊(duì)建設(shè)等方面做出了積極的探索，通過(guò)加強(qiáng)科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)管理，引進(jìn)了數(shù)名國(guó)家“千人計(jì)劃”、中國(guó)科學(xué)院“百人計(jì)劃”及“國(guó)家杰出青年”獲得者，培養(yǎng)了數(shù)十名年輕人才，形成了百余人的學(xué)科交叉、具有前沿探索能力和工程化、產(chǎn)業(yè)化背景的高水平半導(dǎo)體照明人才隊(duì)伍。
　　
　　針對(duì)我國(guó)節(jié)能減排的重大需求，“高效氮化物L(fēng)ED材料及芯片關(guān)鍵技術(shù)”創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)建成了從半導(dǎo)體照明重大裝備、材料外延、芯片開(kāi)發(fā)到高效大功率封裝及測(cè)試分析的完整柔性半導(dǎo)體照明工藝平臺(tái)，具有靈活的研發(fā)能力與工程化示范能力。
　　
　　該創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)還形成了一系列具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的重要研究成果，并制定了相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。在國(guó)內(nèi)率先突破以氮化物為主的半導(dǎo)體外延材料生長(zhǎng)及摻雜、芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及機(jī)理驗(yàn)證、測(cè)試及封裝等關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了150lm/w以上的LED高效發(fā)光；成功制備了國(guó)內(nèi)首個(gè)300nm以下室溫?zé)晒獍l(fā)光的深紫外UVLED器件，并實(shí)現(xiàn)了器件功率的毫瓦級(jí)輸出；研制開(kāi)發(fā)了國(guó)內(nèi)首臺(tái)48片MOCVD樣機(jī)，經(jīng)第三方檢測(cè)，設(shè)備外延的氮化鎵材料，各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到了同類(lèi)國(guó)際MOCVD設(shè)備的水平。