NEC Compound Semiconductor Devices公司與NEC Electronics(Europe)公司日前宣布推出新型硅-鍺(SiGe)雙極晶體管NESG3031M05/NESG3031M14。

這種新型晶體管是利用該公司獨(dú)創(chuàng)的下一代硅鍺異質(zhì)結(jié)雙極晶體管半導(dǎo)體加工工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)而成，據(jù)稱(chēng)具有世界頂級(jí)的高頻低噪性能。這種硅雙極晶體管的頻率為5.2GHz，噪聲系數(shù)為0.95dB。與用于5.2GHz無(wú)線(xiàn)通信的上一代器件比較而言，其噪聲系數(shù)改善了27%，從而特別適用于無(wú)線(xiàn)LAN、無(wú)繩電話(huà)和電子收費(fèi)(ETC)單元中的高頻低噪放大器。

此外，與典型的砷化鎵晶體管(GaAs)相比，這種新產(chǎn)品具有可觀的成本優(yōu)勢(shì)。SiGe晶體管的生產(chǎn)易于控制，便于穩(wěn)定生產(chǎn)，在性能相同的情況下，其價(jià)格僅為GaAs產(chǎn)品的一半。

NESG3031有兩種不同的封裝形式：具有很低寄生電阻的4引腳小/薄型封裝和擁有同類(lèi)產(chǎn)品世界最小封裝的4引腳封模封裝(M14封裝，封模尺寸為1.2 mm x 0.8 mm)。該器件將小尺寸和高性能集于一身，從而能滿(mǎn)足眾多市場(chǎng)的要求。

該公司計(jì)劃于今年八月初開(kāi)始發(fā)售NESG3031M05的樣品，而九月初發(fā)售NESG3031M05的樣品，這兩種器件的單價(jià)均為35日?qǐng)A(僅供參考)。計(jì)劃于開(kāi)始正式批量生產(chǎn)，產(chǎn)量由最初的每月100萬(wàn)片逐漸，到2004年三月將達(dá)到每月1,000萬(wàn)片。