經(jīng)過十年的高速發(fā)展發(fā)展，中國LED市場的規(guī)模、應(yīng)用的創(chuàng)新和質(zhì)量的控制方面已經(jīng)在全球遙遙領(lǐng)先,位居世界首位，我國已經(jīng)成為全球LED產(chǎn)業(yè)的中心。統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，2013年我國照明行業(yè)總產(chǎn)值4800億元。其中包括350億美金的出口市場和2000多億元的國內(nèi)市場。相較于2000多億元的增量市場，業(yè)內(nèi)人士認為改革開放30年形成的照明存量市場將帶來數(shù)萬億元的市場空間。

據(jù)悉，10月1日起，我國將開始禁售和進口60瓦及以上白熾燈。目前，我國是全球白熾燈銷售量最大的國家。60瓦是目前白熾燈的銷售主力品種，即將開始的禁售，將進一步提升LED燈的市場份額。業(yè)內(nèi)人士表示，僅白熾燈替代市場每年就將新增120億只以上燈源需求。預(yù)計LED照明未來3~5年將會形成行業(yè)產(chǎn)值高峰，將保持100%的年復(fù)合增速，行業(yè)總產(chǎn)值有望達到萬億元。

LED產(chǎn)業(yè)鏈可以分為芯片制造、封裝和應(yīng)用環(huán)節(jié)三部分。按照受益程度來看，上游芯片制造無疑成為最受益的環(huán)節(jié)。從照明行業(yè)價值構(gòu)成看，外延芯片利潤占比約70%，封裝環(huán)節(jié)約為10%~15%，而應(yīng)用環(huán)節(jié)約為10%~20%。處于價值鏈前端的LED外延片及芯片環(huán)節(jié)占有極高的附加值。在LED照明產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)增長中，上游外延及芯片環(huán)節(jié)業(yè)績向上彈性最大。由于芯片制造在LED產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)含量高。

目前，國內(nèi)外市場上LED半導(dǎo)芯片的制備，大多數(shù)都采用藍寶石或碳化硅襯底來外延生長寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。近年來，隨著LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，氮化鎵的消費也不斷增加。氮化鎵的消費在金屬鎵的最終消費中占據(jù)越來越重要的位置。

同時，氮化鎵單晶材料是用于氮化鎵生長的最理想的襯底，這樣可以大大提高外延膜的晶體質(zhì)量，降低位錯密度，提高器件工作壽命，提高發(fā)光效率，提高器件工作電流密度。但，氮化鎵體單晶材料制備難度大，且價格昂貴。因而氮化鎵厚膜作為半導(dǎo)體照明的襯底之用受到限制。日前，方大集團成功打造出我國第一條氮化鎵(GaN)基LED外延片、芯片、封裝、熒光粉到半導(dǎo)體照明工程應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)、制造直至終端應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，實現(xiàn)了氮化鎵基半導(dǎo)體照明外延片、芯片"中國造”。這將進一步提升氮化鎵外延片的市場份額，這也將促進金屬鎵的消費。

綜上所述，隨著LED照明的飛速發(fā)展，金屬鎵的需求將不斷的增加。未來，金屬鎵未來的投資價值值得期待。（作者:王保慶）