【編者按】氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍(lán)色光發(fā)光器件中的一種具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。

制備增強型硅上氮化鎵（eGaN）功率場效應(yīng)晶體管（FET）的美國宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布，其eGaN單片半橋功率晶體管產(chǎn)品EPC2100系列榮獲《電子產(chǎn)品》雜志（一種為電子設(shè)計工程師創(chuàng)辦的商業(yè)出版物）評選的2014年度產(chǎn)品獎（在2015年1月公布）。

對2014年發(fā)布的數(shù)以千計的產(chǎn)品進(jìn)行評價，獲獎產(chǎn)品是根據(jù)創(chuàng)新設(shè)計、技術(shù)或應(yīng)用的重要進(jìn)展，以及價格和性能的豐碩成果基礎(chǔ)上選定的。eGaN半橋作為一種半導(dǎo)體分立器件的成功演示，標(biāo)志著第一個市場銷售增強型單片晶體管半橋電路問世。

具體而言，EPC 2100 GaN功率晶體管為電力系統(tǒng)設(shè)計人員提供解決方案，當(dāng)轉(zhuǎn)換速率在500kHz，電壓從12V變換到1.2V時，完整降壓變換器系統(tǒng)效率和功率密度在10A接近93%，在25A時超過90.5%。

《電子產(chǎn)品》月刊高級編輯Paul O"Shea評論道，“半橋產(chǎn)品EPC 2100系列代表氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的重要一步。通過將兩個eGaN功率場效應(yīng)晶體管集成到單一器件，可消除互連電感和印刷電路板上的間隙空間。這既增加更高頻率時的效率又提高功率密度，同時降低終端用戶電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的組裝成本。”

EPC公司共同創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Alex Lidow說，“這個獎項證明氮化鎵技術(shù)將繼續(xù)作為電源轉(zhuǎn)換技術(shù)的性能領(lǐng)導(dǎo)者出現(xiàn)。我們認(rèn)為，基于硅的MOSFET已經(jīng)到達(dá)極限，eGaN技術(shù)將引領(lǐng)電源管理性能增長新路徑。”

信息來源：搜狐網(wǎng)　　編輯：茍麗麗